图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:21000 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 BZX85C3V3 - C56 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 齐纳（NOM）（VZ） | 12V |
| 电压 - 正向（Vf）（最大）@ | 1.2V @ 200mA |
| 电流 - 反向漏VR | 500nA @ 8.4V |
| 公差 | ±5% |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 阻抗（最大）（ZZT） | 9 Ohm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | DO-204AL, DO-41, Axial |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 包装材料 | Tape & Box (TB) |
| 操作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 包装 | 2DO-41 |
| 配置 | Single |
| 标称齐纳电压 | 12.05 V |
| 齐纳电压容差 | 5 % |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 0.5 uA |
| 工作温度 | -65 to 200 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Ammo Pack |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | DO-41 |
| 标准包装名称 | DO-204-AL |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 最大齐纳阻抗 | 9 |
| 最大反向漏泄电流 | 0.5 |
| Package Diameter | 2.72(Max) |
| ESD保护 | No |
| 封装 | Ammo |
| 标称齐纳电压 | 12.05 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| PCB | 2 |
| 包装长度 | 5.21(Max) |
| 最低工作温度 | -65 |
| 测试电流 | 20 |
| 引脚数 | 2 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 500nA @ 8.4V |
| 电压 - 齐纳（额定值）（Vz ） | 12V |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 1.2V @ 200mA |
| 供应商设备封装 | DO-41 |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 阻抗（最大值）（Zzt ） | 9 Ohm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL, DO-41, Axial |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 齐纳电流 | 20 mA |
| 齐纳电压 | 12.05 V |
| 最大齐纳阻抗 | 9 Ohms |
| 系列 | BZX85C |
| 单位重量 | 0.008642 oz |
| 电压容差 | 5 % |
| 功率耗散 | 1 W |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | DO-41 |
| 最高工作温度 | + 200 C |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 直径 | 2.72 mm |
| 产品 | Zener Diode |
| Zz - Zener Impedance | 9 Ohms |
| 测试电流 | 20 mA |
| Ir - Reverse Current | 500 nA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 端接类型 | Axial |
| 长度 | 5.2 mm |
| Vf - Forward Voltage | 1.2 V at 200 mA |
| Vz - Zener Voltage | 12.05 V |
BZX85C12_T50A也可以通过以下分类找到
BZX85C12_T50A相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家